6月12日消息，據上海證券報今日報道，湖北江城實驗室近期在電容關鍵技術上取得重大突破，成功研制出三維多層片上電容，電容密度突破每平方毫米 1000 納法。
據介紹，該電容可直接應用于 AI / GPU 芯片、高性能處理器等高端芯片，支撐高算力、低功耗芯片研發。
目前，相關技術正在開展工藝流片及小批量試產，將在先進封裝領域實現規模化應用。
電容在電路中的作用，本質上是一個超微縮的“蓄水池”：當芯片電流劇烈波動時，能迅速充放電以平抑電壓，確保芯片吃上“純凈且穩定”的電流。
電容在算力系統中也被比喻為“電RAM”：HBM是算力的數據緩沖，電容則是算力的能量緩沖。
要在GPU瞬時拉滿功率時供得上電，必須依靠從納秒到秒級的多級電力緩存逐級接力。
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