【2026年6月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER? 2EDL90xG3。這是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化鎵（GaN）器件的驅動芯片。隨著AI數據中心向更高的功率密度邁進，電源工程師會希望在不更改 PCB 的情況下，能夠靈活地評估和比較硅與氮化鎵方案。這對 HV/MV IBC 設計尤為重要。2EDL90xG3直接滿足了這一需求。其獨特的內置5 V 柵極鉗位功能進一步簡化了 GaN 柵極驅動電源的設計，從而實現與 Si 器件共 PCB。
2EDL90xG3提供了五種可配置的工作模式，能夠支持多種電源拓撲。其雙浮地輸出架構與5 V 柵極鉗位相結合，可實現同時適用于基于硅和氮化鎵設計的混合開關電容（HSC）拓撲。該器件擁有4 A 拉電流（source）和6 A灌電流（sink）的高驅動強度，為驅動 HV-IB的次級側提供了極高的靈活性。此外，內部集成的電流采樣放大器具有典型的5 MHz 高帶寬以及高達 35 V的高共模電壓抗干擾能力，有效減少了系統物料清單（BoM）并提升了功率密度。該電流采樣放大器在滿量程下可提供典型值1%的高精度，支持精確的控制環路調節以及快速的過流和短路保護。內部集成的自舉二極管則進一步縮減了半橋和全橋應用中的電路板空間及系統 BoM。2EDL90xG3采用緊湊的 QFN 3*3 16引腳封裝。
該驅動芯片針對英飛凌廣泛的 AI 服務器供電產品組合進行了優化。英飛凌的產品涵蓋了從電網到核心（From Grid to Core）的完整供電鏈，包括固態變壓器（SST）和固態斷路器（SSCB）、電源（PSU）及電池備份單元（BBU）、中間總線變換器（IBC）以及第二級直流轉換電源模塊（VRM）。通過將硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的互補優勢相結合，英飛凌為客戶提供了一條清晰且經市場驗證的端到端電源架構設計路徑。該產品組合還擁有持續的設計資源支持，以及專門為下一代 AI 服務器平臺量身定制的可擴展、高質量的元器件。
供貨情況
2EDL900G3和2EDL901G3的樣品現已開始提供。
英飛凌將參加 PCIM Europe 2026
歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe）將于2026年6月9日至11日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展臺展示其低碳化和數字化的產品和解決方案。
