【2026年6月8日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出一款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI數據中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅（SiC）技術，在保持與現有低壓BBU 相同物理外形尺寸的前提下，實現了 450 W/in3 的功率密度以及超過 99% 的效率，有效解決了數據中心向更高電壓直流配電轉型過程中的關鍵基礎設施瓶頸。

英飛凌推出一款 24 kW 電池備份單元DC-DC 參考設計，專為AI數據中心的高壓直流母線架構而設計

英飛凌科技高級副總裁、電源系統 IC 業務線負責人 Magdalene Boebel 表示：“大規模AI供電需要采取系統性的方法來優化從電網連接到處理器核心的每一個供電環節。我們的 24 kW 高壓 BBU 參考設計，可直接在 800 V 直流母線上運行，樹立了功率密度和效率的新標桿，為數據中心架構師提供了一個完全集成的解決方案，以滿足非常嚴苛的 AI 基礎設施需求。” 

該參考設計基于多電平、多相非隔離架構，結合了堆疊、交錯和耦合的升壓（Boost）與降壓（Buck）級。這種方法無需依賴飛跨電容，便能直接減小磁性元件的體積。放電回路的一個橋臂被復用于充電，從而在整個運行范圍內實現零電壓開關（ZVS）。該方案最終降低了電流紋波，實現了完全集成的磁性器件以及快速的瞬態響應——隨著 AI 服務器的負載波動變得更加動態且難以預測，這些特性正變得越來越關鍵。 

該緊湊型模塊的尺寸僅為 112 x 88 x 118 mm，集成了 24 kW 的主功率級和 2.4 kW 的輔助電源。充電器和放電器模塊共享 EMI 濾波器、電容和保護 MOSFET，從而減少了總元件數量。業界領先的 SiC 結型柵極效應晶體管（JFET）提供了ORing和熱插拔功能。通過將平面變壓器與 CoolSET? 相結合，在緊湊且具成本效率的設計空間內實現輔助開關電源（SMPS）。 

該 DC-DC 轉換級以 CoolSiC? MOSFET IMT65R033M2H 為核心構建。該款650 V SiC MOSFET適用于高壓 BBU 應用中雙向升降壓（buck-boost ）DC-DC 轉換。其極低的導通損耗和開關損耗使轉換效率超過 99%，從而降低了機架級的熱負荷。在電網波動或斷電等工況下，該器件可在高壓直流母線和電池之間快速轉換能量，且損耗極低，從而可靠地延長了后備供電時間。650 V 的擊穿電壓耐受力、穩定的體二極管、175 °C 的結溫額定值以及 .XT 封裝技術，使其在電壓尖峰、高 dv/dt 瞬態和持續的熱循環等嚴苛工況下展現出極強的可靠性。各器件間高度一致的閾值電壓 Vgs(th) 特性簡化了多相設計，并有助于實現機架級冗余配置。該架構已納入英飛凌 REF_12KW_HFHD_PSU 參考設計并進行了系統化說明，充分展示了 IMT65R033M2H 在面向機架級高壓 BBU 應用的高功率 DC-DC 轉換中的性能優勢。 

完整的物料清單（BOM）包含以下英飛凌組件：第二代 CoolSiC MOSFET 650 V（包括 IMT65R033M2H）、EiceDRIVER? 柵極驅動、TLE497x 電流傳感器、PSOC? C3系列微控制器（MCU）、用于輔助開關電源（Auxiliary Power）的 CoolSET IC 以及1.7 kV SiC MOSFET。 

其他設計特點還包括：因交流成分極低而顯著降低的共模噪聲，以及完全集成的磁性器件。三塊功率插卡不僅為直流正極、直流負極和中性點提供了機械連接，同時還充當了組件的承重結構，從而大幅提升整個解決方案的緊湊性。 

數據中心向更高電壓直流母線架構轉型，主要得益于其在機架和設施層面的高效率和低輸電損耗優勢。BBU 是這一基礎設施轉型中的核心部分，能夠在電網異常期間持續為 AI 服務器供電。這款 24 kW 高壓 BBU 參考設計展示了基于 SiC 的 DC-DC 轉換如何滿足這一轉型在密度、效率和可靠性方面的嚴格要求。憑借涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的全面產品組合，英飛凌已實現了從電網到處理器核心全供電鏈的完整覆蓋。

供貨情況

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英飛凌將參加PCIM Europe 2026

歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe）將于2026 年 6 月 9 日至 11 日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在 7 號展廳 470 號展臺展示其低碳化和數字化的產品和解決方案。