【2026年5月20日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC? MOSFET的新型XHP?2功率模塊產品，進一步擴展了該產品組合。該模塊專為高壓電力系統設計，最高支持1500V直流母線電壓，契合行業向更高系統電壓發展的趨勢。該模塊還提供多種規格，導通電阻（RDS(on)）在1mΩ至2mΩ之間，絕緣電壓為4kV或6kV。與傳統硅基解決方案相比，這款新產品采用碳化硅（SiC）技術，顯著降低了開關損耗與導通損耗，從而使逆變器實現更高效率和更高功率密度，或以更高開關頻率運行以降低諧波并縮小系統尺寸。全新XHP? 2 CoolSiC? MOSFET模塊適用于可再生能源領域，包括風電、光伏及電池儲能系統等應用。
英飛凌推出采用2300V CoolSiC? MOSFET的新型XHP?2功率模塊產品，進一步擴展了該產品組合
這些模塊采用XHP? 2封裝，具有對稱開關特性，便于在大功率轉換器中實現并聯，并提供一個標準化平臺，使開發人員能夠根據應用要求平衡效率和性能。所有型號均采用英飛凌成熟的.XT互連技術，具備更高的可靠性，以及更長的器件使用壽命；同時，模塊還提供預涂導熱界面材料版本，在簡化組裝過程的同時保障穩定的散熱性能。
這些特性帶來了可觀的系統級優勢。在風電演示系統中，實現了300 kW/L的功率密度；而在電池儲能系統測試中，半導體的低損耗可以使系統的功率輸出效率提高到99.3%。英飛凌通過此次產品組合擴展，為可再生能源應用領域的下一代高壓電力系統提供了豐富的產品解決方案。
供貨情況
2300V XHP? 2 CoolSiC?MOSFET模塊包含FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1和FF1000UXTR23T2M1_B5。這些產品現可通過英飛凌及其分銷商獲取。
