【2026年5月13日, 中國上海訊】近日，英飛凌科技與思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，雙方將基于英飛凌最新一代1200V CoolSiC? MOSFET G2碳化硅分立器件技術，共同為思格新能源戶用光伏儲能逆變器解決方案提供核心性能支撐，以技術創新驅動戶用光儲領域能效升級。 

在全球戶用光儲市場，高能效與高可靠性始終是衡量系統性能的核心標準。思格新能源憑借前瞻性技術布局，通過深度集成英飛凌新一代 1200V CoolSiC? MOSFET G2 碳化硅解決方案，將戶用光伏儲能逆變器效率提升0.6%，體積縮小15%，達到業界領先水平，為家庭用戶創造更高發電收益與更靈活的安裝空間。采用英飛凌.XT擴散焊技術，顯著提升散熱效率，為戶用光儲系統長期穩定運行提供了強有力的支撐。從全球首創的“五合一光儲充一體機”到不斷迭代的高效能儲能系統，思格新能源始終以創新驅動行業升級。此次與英飛凌深化合作——將業內領先的碳化硅技術融入思格戶用光儲逆變器解決方案，將助力思格戶用光儲逆變器實現性能與體驗的雙重飛躍，進一步鞏固其在光儲行業的領先地位。 

英飛凌推出的新一代1200V CoolSiC? MOSFET G2一經面世，便憑借其卓越的性能引起業界廣泛關注。相較于前代技術，G2系列通過創新設計實現了三大核心優勢： 能效躍升——開關損耗降低25%，配合總功率損耗降低10%的優化幅度，推動系統效率進一步提升。熱管理升級——采用的增強型.XT擴散焊技術，散熱效率顯著提升，確保器件在高溫工況下仍能保持穩定性能。可靠性增強——通過溝槽柵的設計和嚴苛的生產管控，柵極開啟閾值電壓VGS(th)參數分布更集中，結合傳輸特性負溫度系數設計，多器件并聯的易用性與可靠性獲得雙重提升。此外，英飛凌同步推出采用高爬電距離TO-247-4封裝的1400V CoolSiC? MOSFET系列產品，進一步拓展了光伏逆變器、充電樁、工業電機驅動等高壓場景的應用可能性。

英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人程佳鈺女士，英飛凌科技分銷商和電子制造服務管理大中華區負責人廖明頌先生表示：“作為全球功率半導體行業的領導者，英飛凌在碳化硅（SiC）技術領域已深耕二十余年，構建了從材料特性、芯片設計、制造到封裝測試工藝的全鏈路能力，為客戶提供覆蓋全場景的高性能SiC功率解決方案。通過持續創新，英飛凌SiC功率器件在性能、可靠性及能效等核心指標上始終保持行業領先地位。思格作為全球儲能行業中發展最快的企業之一，在多個海外市場中位居分布式儲能系統市場份額第一。其對技術創新以及產品可靠性不懈追求，與英飛凌所秉承的創新驅動、可靠性至上的理念高度契合。雙方強強聯合，不僅為SiC器件開辟了更多光儲創新應用的新天地，更為全球能源結構的轉型升級注入了動力。” 

思格新能源總裁張先淼先生表示：“自成立以來，思格始終專注于‘AI+新能源’領域的技術創新，堅持以產品質量為核心，以用戶體驗為導向，在設計、選材到測試的每一個環節都秉持最嚴標準。我們深知，卓越的系統性能離不開可靠的核心器件。英飛凌在碳化硅功率器件領域深厚的研發積累與持續創新能力，與思格對高能效、高可靠產品的追求高度契合。未來，思格將繼續攜手英飛凌，不斷深化創新協同，共同打造更高效、更安全、更可持續的能源解決方案，推動光儲產業向零碳未來加速邁進。”