2026年4月26日，借2026北京國際車展東風，深圳方正微電子有限公司（以下簡稱“方正微電子”）在2026汽車芯片產業創新生態交流日專場發布會上，正式宣布其車規級主驅SiC MOSFET芯片累計出貨量突破3000萬顆，并重磅推出全新一代車規級SiC MOSFET G3平臺。此次雙里程碑事件，標志著中國車規SiC芯片產業從追趕階段邁入逐步領先階段，方正微電子已躋身全球車規主驅SiC芯片第一梯隊，為國內新能源汽車供應鏈安全提供了堅實支撐。
作為國內領先的第三代半導體IDM企業，方正微電子成立于2003年，2021年由深圳市重大產業投資集團全資收購后，聚焦SiC晶圓、器件、模塊的研發、生產與銷售，致力于打造全球領先的IDM企業。值得關注的是，方正微電子具備SiC IDM端到端完整能力，構建了從襯底合作、自建外延、芯片設計、晶圓制造，到模塊設計、器件及模塊封裝、市場銷售與技術服務的全鏈條體系，形成了“一站式”全場景解決方案能力，這也是其能夠快速實現技術突破和規?；慨a的核心支撐。經過五年深耕，公司已建成國內頂尖量級的車規SiC MOS實際量產線，FAB1、FAB2兩條生產線合計年產能達30萬片，其中FAB1生產線6英寸SiC晶圓月產能15000片，FAB2擁有一條月產能3000片的8英寸SiC中試線，以及一條月產能9000片的6/8英寸SiC量產線，為產品規模化供應提供了堅實保障。依托全鏈條IDM優勢，公司在研發迭代、質量管控、成本控制上形成了獨特競爭力，可實現從技術研發到量產落地的高效銜接，同時通過自主掌控核心環節，有效規避了供應鏈波動風險，保障了產品供應的穩定性與一致性。
此次出貨量突破3000萬顆，是方正微電子車規主驅SiC芯片產業化能力的重要印證。據方正微電子副總裁彭建華介紹，三年前車規主驅SiC芯片市場99%以上被國際廠商壟斷，而截至2025年底，方正微電子車規主驅SiC芯片上車量已超過20萬輛，在全球新能源汽車車規主驅SiC芯片市場中占據10%的份額，成為國內少數能與國際頭部廠商同臺競技的企業。更值得關注的是，其3000萬顆出貨芯片實現上車零失效，通過了車規級3000小時可靠性驗證——這一標準是行業通用要求的3倍，芯片預期壽命長達49年，彰顯了產品的高可靠性優勢。
深圳方正微電子有限公司副總裁 彭建華（圖源：電子技術應用）
發布會上重磅推出的SiC MOSFET G3車規平臺，更是成為全場焦點。該平臺首產品為1200V 11mΩ規格，三個月后將推出1200V 9mΩ產品，同時同步開發1500V、750V、650V全系列產品，全面覆蓋新能源汽車、光伏儲能、數據中心等多場景應用需求。據介紹，G3平臺產品在性能、可靠性、成本控制上實現三重突破，核心指標超越國際同類產品。
在高性能方面，G3平臺產品表現突出：在4.99×4.99mm2芯片尺寸下，25℃時導通電阻僅為11.08mΩ，175℃高溫環境下導通電阻控制在19.96mΩ，擊穿電壓BV>1500V（-50℃至175℃）；在業界標準25mm2芯片尺寸下，導通電阻低至11mΩ，較國際頭部廠商同類產品提升20%以上，同等面積出流能力增加10%，可完美適配800V及1000V高壓平臺，滿足新能源汽車高端化、智能化發展需求。
方正微SiC MOSFETG3車規平臺產品特性（圖源：方正微）
在成本控制上，G3平臺通過技術優化實現重大突破，可實現模塊從8并→6并→4并的升級，單電機芯片成本降低40%以上；同時，芯片開關損耗降低20%，散熱體積降低15%，助力功率組體積減少30%，有效解決當前新能源汽車行業“降本增效”的核心痛點?！拔覀兊哪繕耸怯?顆芯片替代行業主流的6顆芯片，在提升性能的同時，為客戶帶來實實在在的成本節約。”彭建華表示。
高可靠性則是G3平臺的核心競爭力之一。該平臺產品通過HTRB、HTGB、Pre-con uHAST等多項嚴苛測試，在線攔截設備較行業水平增加15%，短路耐量達2.4μs，不僅通過車規級3000小時加嚴可靠性驗證，還實現了與傳統安規電阻的拓撲兼容，可快速實現國產化，降低車企驗證成本。據悉，一輛車企驗證一款車規主驅芯片，投入成本高達數千萬，G3平臺的兼容性的將大幅縮短驗證周期。
中國汽車芯片聯盟聯席理事長董揚在致辭中表示，中國汽車、動力電池產業已實現全球領先，SiC芯片作為下一代半導體的核心領域，有望成為中國芯片產業率先實現全球領先的突破口。方正微電子的技術突破和產能布局，為中國汽車芯片國產替代注入了強大動力，也彰顯了中國半導體企業的創新實力。
中國汽車芯片聯盟聯席理事長 董揚（圖源：電子技術應用）
方正微電子總裁吳偉濤表示，公司將持續秉持“探索一代、預研一代、開發一代、量產一代”的理念，加大研發投入，推動技術迭代，同時拓展光伏儲能、數據中心等多領域應用，構建完善的產業生態。目前，方正微電子已進入光伏、儲能、數據中心等領域的全球前10名關鍵客戶，未來將進一步拓展國際市場，依托中國全產業鏈優勢，與全球合作伙伴協同發展。
深圳方正微電子有限公司總裁 吳偉濤（圖源：電子技術應用）
業內人士分析指出，隨著新能源汽車800V高壓架構滲透率快速提升，SiC芯片需求將持續爆發，行業正進入洗牌分化階段。方正微電子憑借3000萬顆的出貨規模、G3平臺的技術優勢以及全產業鏈布局，有望在行業洗牌中進一步擴大市場份額，推動國內車規SiC芯片產業實現更高質量發展，保障國家新能源汽車供應鏈安全。
在發布會后的專訪中，彭建華針對當前SiC行業面臨的挑戰及未來發展方向，向記者分享了專業見解。他表示，當前SiC行業已進入紅海競爭，但市場分化顯著，中低端領域產能過剩、價格戰激烈，而高端車規主驅、高端光伏等場景供應仍偏緊張，國際廠商仍占據80%以上高端市場份額，這是國內SiC企業面臨的核心挑戰之一。同時，8英寸SiC晶圓成本居高不下、襯底缺陷率較高、工藝設備仍需完善，以及GaN在部分場景的替代競爭、車企自主研發芯片帶來的市場格局變化，也給行業發展帶來多重考驗。此外，國內部分企業盲目跟風布局，缺乏核心技術積累，導致產能浪費和同質化競爭，進一步加劇了行業洗牌壓力。
談及行業未來發展方向，彭建華認為，SiC產業將呈現三大發展趨勢：一是技術迭代持續加速，平面技術仍將主導車規主驅領域，溝槽技術將在特定場景實現突破，超級結等前沿技術將成為下一代研發重點，性能與可靠性的雙重提升仍是核心方向；二是應用場景持續拓展，除新能源汽車主驅外，光伏、儲能、數據中心領域將成為SiC芯片的重要增長極，其中數據中心供電側SiC將占據主力地位，GaN則聚焦小功率高頻場景，形成差異化競爭；三是行業集中度持續提升，未來3-5年內國內SiC企業將僅剩個位數，具備全鏈條IDM能力、技術優勢和規模產能的頭部企業將脫穎而出，形成“強者恒強”的競爭格局。
對于方正微電子的未來布局，彭建華透露，公司將持續深化IDM全鏈條優勢，加大8英寸SiC工藝研發投入，力爭2028年實現車規級8英寸SiC芯片成本與6英寸持平；同時推進溝槽技術工程產品上市，完善G3平臺全系列產品布局，今年將推出第一代超級結產品，構建更完整的產品矩陣。在生態布局上，公司將繼續與上下游企業、科研機構深度合作，推動材料、設備國產化，聯合定義下一代芯片，同時加大國際市場拓展力度，配合國內車企出海，提升中國SiC芯片的全球競爭力，助力車規芯片國產化持續推進。
