·  博世集團董事會成員、博世智能出行集團主席馬庫斯·海恩博士: “我們正助力客戶將動力更強、效率更高的電動汽車推向市場。”

·  博世新一代碳化硅芯片綜合性能提升20%，進一步提高了整個電驅系統的效率。

·  自2021年投產以來，博世已在全球交付超過6000萬顆碳化硅芯片。

·  博世正通過全面的本地研發、測試與生產布局，敏捷響應中國新能源汽車市場的快速發展。

北京——碳化硅（SiC）半導體是提升電動汽車效率和增加續航里程的關鍵。博世正快速推進該領域的研發：公司已正式推出第三代碳化硅芯片，并逐步開始向全球汽車制造商提供樣片。這意味著越來越多的電動汽車將很快搭載博世最新的第三代碳化硅產品。博世董事會成員及博世智能出行集團主席馬庫斯·海恩博士表示：“碳化硅半導體是電動出行的核心‘節拍器’。它們精準控制能量流，并使其達到最高效的狀態。” 

“中國不僅是全球最大的新能源汽車市場，更在800V高壓平臺等前沿電氣化架構的普及上處于領先地位。” 博世功率半導體亞太區負責人Bruno Schuster表示，“我們全新的第三代碳化硅技術專為滿足這些嚴苛的高效能需求而設計。博世將結合強大的全球技術儲備與不斷完善的本地服務能力，全力賦能中國本土汽車客戶的創新與發展。”

數十億歐元投資全球制造網絡和本土賦能

碳化硅半導體的開關速度和運行效率顯著高于傳統硅芯片。它們不僅能大幅減少能量損耗，還能在電子設備中實現更高的功率密度。博世的新一代半導體不僅提供了技術優勢，更帶來了顯著的經濟效益。“我們的新一代芯片性能提升了20%，且尺寸比上一代更為精巧，”馬庫斯·海恩博士解釋道。“這種小型化是實現未來更高成本效益的長期關鍵因素，因為我們可以在單片晶圓上產出更多的芯片。通過這種方式，博世為高性能電子器件的進一步普及做出了實質性貢獻。”自2021年推出第一代產品以來，博世已在全球交付了超過6000萬顆碳化硅芯片。 

近年來，博世在碳化硅芯片的研發領域不斷取得進展，并持續投資其位于德國羅伊特林根的工廠，在先進的200毫米晶圓上生產第三代芯片。此外，公司計劃投資約19億歐元，用于裝備近期在美國加利福尼亞州羅斯維爾收購的生產基地。預計今年內，該工廠將生產出首批用于客戶測試的樣片。位于德國和美國的兩家工廠將共同保障半導體供應，這不僅創造了滿足全球市場需求的產能，也將為汽車行業打造更具韌性且穩健的全球供應鏈。在中期規劃中，博世的目標是將碳化硅功率半導體的年產能提升至數億顆級別。 

針對產能布局，博世功率半導體亞太區負責人Bruno Schuster補充道：“這一全球制造網絡將深度賦能中國客戶。當前，中國新能源汽車產業正經歷從400V向800V高壓平臺的跨越式發展，對高性能、高可靠性碳化硅芯片的需求極為迫切。博世通過在德國羅伊特林根與美國羅斯維爾的雙中心布局，不僅能為客戶提供充足的、跨區域的產能保障，更能通過極具韌性的全球供應鏈，助力中國本土主流車企在全球化出海進程中規避供應風險，確保生產的安全與穩定。”

深耕本土，敏捷服務

除全球產能布局外，博世已在上海組建了專門的碳化硅功率半導體研發團隊及測試實驗室，旨在針對本土新能源汽車市場環境下的差異化需求提供敏捷的技術支持。同時，博世在蘇州落成的碳化硅功率模塊生產基地已實現本土化量產。這種“全球芯片供應+本土模塊制造+本地研發驗證”的組合方案，確保了博世能夠與本土主流汽車制造商及本土先進襯底供應商展開深度協同，顯著縮短從樣片到量產的轉化周期，共同定義未來高效出行的技術標準。

獨特的“博世工藝”是成功的關鍵

為了使芯片在面積縮小的同時實現更強勁的性能，博世運用了其獨特的制造專長。公司采用了自1994年起即在業內廣泛認可的“博世工藝”（Bosch process）。這種最初為傳感器開發的溝槽刻蝕技術，能夠在碳化硅中構建出高精度的垂直結構。這種結構大幅提高了芯片的功率密度——這也是博世第三代碳化硅芯片產品在包括800V的高壓應用場景中展現卓越性能的關鍵因素。