【2026年3月4日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? Drive HB 600 V G5產品系列，進一步擴大了其CoolGaN?產品組合。四款新產品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半橋配置并在其中集成了兩個600V氮化鎵（GaN）開關，帶有高低側柵極驅動器與自舉二極管，提供緊湊且散熱優化的功率級，進一步降低設計復雜度。通過將諸多關鍵功能集成到一個經過優化的封裝中，該系列減少了外部元件數量、緩解了快速開關型GaN器件常見的PCB布局難題，并幫助設計師縮短了開發周期，同時實現了GaN技術的核心優勢：更高的開關頻率、更低的開關與導通損耗，以及更高的功率密度。
英飛凌科技氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“GaN正在變革電力轉換領域。英飛凌的使命是通過可擴展且易于使用的解決方案，助力客戶充分實現這一變革。這次新推出的集成式解決方案集高速GaN性能、高集成度和可靠性于一身，可幫助設計師加快開發進程、縮小系統體積，并提升效率，突破緊湊型電力電子產品的極限?！?nbsp;
該集成式半橋解決方案是面向低功耗電機驅動系統和開關模式電源而設計，可在空間有限的設計中實現更小的磁性元件與無源元件，更高的全工況效率及動態性能。該器件專為高速精密系統而設計，可實現超快開關，傳播延遲僅為98 ns，并且失配極小，在支持高效高頻運行的同時保持可預測的時序表現。為簡化系統集成，該解決方案提供兼容標準邏輯電平的PWM輸入，僅需單個12V柵極驅動供電。同時，快速UVLO恢復功能可幫助確保啟動及電源瞬態事件中的穩定性。為獲得出色的散熱性能，該產品采用6×8 mm2 TFLGA-27裸露焊盤封裝，可在眾多應用場景中實現高效散熱并支持無散熱片設計。
這些新的解決方案將成熟的CoolGaN?器件技術、系統級集成能力，以及深厚的功率轉換專業知識結合起來，進一步鞏固了英飛凌在GaN市場的領先地位，使客戶能夠更加從容地采用GaN技術，并在工業電子和消費電子平臺上實現高效設計的規?；瘧?。
