设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究
电子技术应用
刘张李
上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 通过比较分析研究射频开关管宽度与堆叠级数变化和栅极与体区偏置电阻对射频开关性能的影响，主要包括前两级射频开关管宽度、不同级数射频开关管宽度、逐步变化射频开关管宽度和偏置电阻等设计参数，对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响。研究结果为射频开关电路设计提供参考。
中圖分類號：TN432 文獻標志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246218
中文引用格式： 劉張李. 設計參數對射頻SOI開關功率承受能力影響研究[J]. 電子技術應用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
中文引用格式： 劉張李. 設計參數對射頻SOI開關功率承受能力影響研究[J]. 電子技術應用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of design parameter on power handling capability of radio-frequency silicon-on-insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the width of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) under different stack, and the Gate/Body bias resistance. The impacts of larger 1st/2nd stage MOSFET width, larger N stage MOSFET width, gradual change MOSFET width and different Gate/Body bias resistance on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability were discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；bias resistance；MOSFET width
引言
射頻SOI(Silicon-On-Insulator)開關具有低插入損耗、高隔離度、高線性度和高功率處理能力，基本上已完全替代GaAs，成為射頻開關主流產品。文獻[1-7]研究了不同設計SOI射頻開關性能。文獻[8]研究大功率模式下襯底網絡模型對大信號建模的影響，并給出了SOI襯底橫向電阻電容網絡和縱向電阻電容網絡的建模方法，主要研究對象為SOI襯底。文獻[9]研究了首兩級在柵極與漏極增加電容對射頻開關處理能力的影響。文獻[10]研究了不同設計參數對SOI射頻開關小信號的影響。從已有參考文獻來看，系統分析射頻開關管寬度和偏置電阻大小等設計參數對射頻開關功率承受能力影響鮮有報道。
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作者信息：
劉張李
（上海華虹宏力半導體制造有限公司，上海 201203）
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