8 月 19 日消息，湖北九峰山實驗室今日官宣，該實驗室近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出 6 英寸磷化銦（InP）基 PIN 結構探測器和 FP 結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。
這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料制備領域實現從核心裝備到關鍵材料的國產化協同應用，為光電子器件產業化發展提供重要支撐。
▲ 九峰山實驗室 6 英寸磷化銦 PIN 探測器外延片
作為光通信、量子計算等領域的核心材料，磷化銦（InP）材料的產業化應用長期面臨大尺寸制備的技術瓶頸，業界主流停留在 3 英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下游產業應用的爆發式增長。
九峰山實驗室依托國產 MOCVD 設備與 InP 襯底技術，突破大尺寸外延均勻性控制難題，首次開發出 6 英寸磷化銦（InP）基 PIN 結構探測器和 FP 結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平，為實現 6 英寸磷化銦（InP）光芯片的規模化制備打下基礎。
材料性能：
· FP 激光器量子阱 PL 發光波長片內標準差 < 1.5nm，組分與厚度均勻性 < 1.5%
· PIN 探測器材料本底濃度 <4×101?cm?3，遷移率> 11000 cm2/V?s
▲ 九峰山實驗室外延工藝團隊
九峰山實驗室表示，在全球光電子產業高速發展的背景下，光通信、激光雷達、太赫茲通信等領域對磷化銦（InP）的需求呈現爆發式增長。據 Yole 預測，磷化銦（InP）光電子市場規模 2027 年將達 56 億美元（IT之家注：現匯率約合 402.33 億元人民幣），年復合增長率（CAGR）達 14%。6 英寸磷化銦（InP）工藝的突破，有望推動國產光芯片成本降至 3 英寸工藝的 60%-70%，有助于增強國產光芯片市場競爭力。
九峰山實驗室本次聯合國內供應鏈實現全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產業鏈協同發展有著重要影響，也為產業鏈自主可控奠定了基礎。例如，九峰山實驗室本次技術突破中 6 英寸磷化銦（InP）襯底合作方云南鑫耀的 6 英寸高品質磷化銦單晶片產業化關鍵技術已實現突破，量產在即。未來，實驗室將持續優化 6 英寸 InP 外延平臺，推動下游產品驗證，提升產業鏈自主可控能力，推動我國光電子產業升級。
