9月10日，合盛硅業宣布，下屬單位寧波合盛新材料有限公司（以下簡稱“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸導電型4H-SiC襯底項目已實現全線貫通。這一里程碑式的成就標志著合盛新材料在第三代半導體材料領域取得了重大技術突破，全面躋身行業第一梯隊。
全智能生產車間
經過五年的潛心研究與深入鉆研，合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術難關。自2023年起，公司聚焦市場需求，專項攻克8英寸導電型4H-SiC襯底技術，經過近兩年的理論深化與技術迭代，現已實現高質量產品的穩定量產。
8英寸襯底
8英寸晶錠
該8英寸導電型4H-SiC襯底在多項關鍵性能指標上均展現出卓越優勢。通過精密的工藝控制與技術創新，襯底的微管密度顯著降低至0.05/cm2以下，確保了襯底的高純度與高質量。同時，4H晶型面積比例達到100%，展現了極高的晶體完整性與穩定性。電阻率穩定在0.015-0.025Ω·cm之間，相對標準偏差小于4%，彰顯了材料優異的性能。
在結晶質量與位錯控制方面，合盛同樣表現出色。通過高分辨X射線衍射測試，襯底的5點搖擺曲線半峰寬平均值小于30arcsec，表明其結晶質量達到了行業頂尖水平。此外，位錯密度（TSD≤20/cm2，BPD≤200/cm2）表現優異，進一步提升了襯底的可靠性與應用潛力。
加工能力方面，合盛新材料已具備生產500μm和350μm厚度8英寸襯底的成熟工藝，產品面型數據（LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW：-15μm～15μm，Warp≤30μm）均達到國際先進水平，滿足了高端電子器件對襯底平整度的嚴苛要求。同時，公司嚴格控制襯底表面金屬離子濃度≤5E10 atoms/cm2，確保產品符合國內外客戶對表面質量的高標準要求。
在外延工藝驗證中，采用合盛8英寸襯底生產的外延片表現出色，膜厚均勻性與摻雜均勻性均高于行業平均水平，致命缺陷密度低于0.3顆/cm2，可用面積超過99%，充分證明了合盛在半導體材料領域的強大實力與技術創新能力。
合盛硅業表示，8英寸導電型4H-SiC襯底的全線貫通，不僅為合盛自身發展注入了強勁動力，更為全球半導體產業的高質量發展提供了有力支撐。未來，合盛新材料將繼續秉承創新驅動發展戰略，深耕半導體材料領域，為推動全球科技進步貢獻更多“中國智慧”與“中國力量”。
