8月15日消息，大家都知道，晶體管是集成電路的基本單元，是如今時代不可或缺的元件之一。

晶體管能夠調控由電子或空穴等載流子形成電流的大小，通常載流子與周圍環境處于熱平衡狀態，稱為“穩態”；但通過電場加速等方法，可以提升載流子的能量，使其成為“熱載流子”。

如果能夠有效操控這種高能的熱載流子，并提高其濃度，將有望進一步提升晶體管的速度和功能。

近日，中國科學院金屬研究所通過使用石墨烯等材料，發明了一種“受激發射”新型熱載流子生成機制，并構建了“熱發射極”晶體管，得到了一種既可以降低功耗又具有“負電阻”功能的晶體管，有望用于設計集成度更高、功能更豐富的集成電路。

據了解，此次研究成果新型晶體管由兩個耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結組成。

載流子由石墨烯基極注入，隨后擴散到發射極，并激發出受電場加熱的載流子，從而導致電流急劇增加。

這一設計實現了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅，突破了傳統晶體管的玻爾茲曼極限（60 mV/dec）。

此外，該晶體管在室溫下還表現出峰谷電流比超過100的負微分電阻，展示出其在多值邏輯計算中的應用潛力。

該工作開辟了晶體管器件研究的新領域，為熱載流子晶體管家族增添了新成員，并有望推動其在未來低功耗、多功能集成電路中廣泛應用。