【2024年4月17日，德國慕尼黑和中國上海訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為快速成長(zhǎng)的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件，共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiCTM MOSFET 1200 V功率半導(dǎo)體器件， 配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器用于工業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用。 同時(shí)，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半導(dǎo)體器件。 

全球光儲(chǔ)系統(tǒng)（PV-ES）市場(chǎng)近年來高速增長(zhǎng)。光儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲(chǔ)能應(yīng)用如何提升效率，提高功率密度備受關(guān)注。 英飛凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V系列功率半導(dǎo)體器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)以及貼合行業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)理念。

英飛凌科技高級(jí)副總裁，工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝先生表示：“作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們很榮幸能與麥田能源緊密合作。英飛凌將繼續(xù)助力光儲(chǔ)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的功率密度以及更可靠的系統(tǒng)，從而推動(dòng)低碳化進(jìn)程。” 

麥田能源董事長(zhǎng)朱京成表示：“得益于英飛凌先進(jìn)器件的支持，麥田能源的產(chǎn)品在可靠性與效率等方面獲得了顯著提升，這一直是麥田能源成長(zhǎng)的重要推動(dòng)力。英飛凌的技術(shù)支持和產(chǎn)品質(zhì)量不僅增強(qiáng)了我們的競(jìng)爭(zhēng)力，還拓展了我們?cè)谑袌?chǎng)上的影響力。我們對(duì)未來充滿信心，期待進(jìn)一步加強(qiáng)與英飛凌的合作，共同推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，為客戶創(chuàng)造更大的價(jià)值。” 

英飛凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V憑借其高功率密度的優(yōu)越性能，可將損耗降低50%,  在不增加電池尺寸的情況下，額外提供約 2% 的能量，這對(duì)高性能、輕量且緊湊的儲(chǔ)能方案尤為有益。 麥田能源的H3PRO 15kW~30kW儲(chǔ)能機(jī)型全系列使用了英飛凌 CoolSiCTM MOSFET 1200 V。得益于英飛凌產(chǎn)品優(yōu)異的性能，H3PRO機(jī)型能取得最高98.1%的效率及優(yōu)異的電磁兼容性能；麥田能源H3PRO機(jī)型也憑借著其優(yōu)異的性能和可靠性，在全球市場(chǎng)的銷量快速上升。 

英飛凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V產(chǎn)品系列，具有更低損耗，幫助提高逆變器整體效率和功率密度的優(yōu)勢(shì)，尤其在大功率變流器項(xiàng)目上，電流處理能力在100A以上的大電流封裝分立器件可以降低IGBT并聯(lián)數(shù)量，替代IGBT模塊方案，進(jìn)一步提高系統(tǒng)可靠性并降低成本；另外，H7系列產(chǎn)品的高品質(zhì)性能，以及更強(qiáng)的抗宇宙射線能力等特性已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)桿。目前， 麥田能源在工業(yè)和商用領(lǐng)域的主力機(jī)型R Series 75~110kW，正是使用 IGBT7 H7系列分立器件，重新定義了100kW機(jī)型的整體設(shè)計(jì)方案，整機(jī)最高效率98.6%；得益于分立封裝IGBT7 H7系列的高品質(zhì)性能，避免了并管過程中均流等技術(shù)問題，從而大大提高了運(yùn)行可靠性。 

每個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)——合適的驅(qū)動(dòng)讓設(shè)計(jì)事半功倍。英飛凌的產(chǎn)品可提供500多種 EiceDRIVER 柵極驅(qū)動(dòng)器，典型輸出電流從0.1 A到18 A。并具有全面的保護(hù)功能，包括快速短路保護(hù)（DESAT），有源米勒鉗位，直通短路保護(hù)，故障報(bào)告，關(guān)斷，過流保護(hù), 適用于包括CoolSiC和IGBT在內(nèi)的所有功率器件。