據(jù)財聯(lián)社報道，近日，被稱為“終極功率半導體”、使用金剛石的電力控制用半導體的開發(fā)取得進展。日本佐賀大學教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本 Orbray 合作開發(fā)出了用金剛石制成的功率半導體，并以 1 平方厘米 875 兆瓦的電力運行。 

該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約 2090 兆瓦。與作為新一代功率半導體的碳化硅（SiC）產(chǎn)品和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能出色，電力損耗被認為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一。 

金剛石功率半導體的耐熱性和抗輻射性也很強，到 2050 年前后，有望成為人造衛(wèi)星等所必需的構(gòu)件。

 金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強大等特性，是制造大功率、高溫、高頻器件的理想材料，由于它的帶隙寬、熱導率高、擊穿電場強、極高的電荷遷移率（CVD 金剛石的電子遷移率 > 75000px2/V.s），使得金剛石半導體器件能夠在高頻、高功率、高電壓以及強輻射等十分惡劣的環(huán)境中運行，被稱為“終極半導體材料”。 全球天然金剛石年產(chǎn)量約為 1.5 億克拉，而人造金剛石產(chǎn)量則超過 200 億克拉，其中 95% 產(chǎn)量來自于中國大陸。

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