據媒體報道，韓國晶圓代工廠商DB HiTek采用在硅晶圓片上制備由氮化鎵材料制成的薄膜來生產半導體晶圓。

GaN 是下一代半導體材料，可提高通信設備、電動汽車快速充電器和太陽能轉換器的電源效率。DB HiTek將生產基于硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術的8英寸半導體，該技術預計可以通過提高半導體制造的競爭力來簡化晶片加工以增強盈利能力。

此前生產半導體晶圓通常采用砷化鎵的第二代半導體制備方法，而新的第三代半導體則采用氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。DB HiTek采用的正是氮化鎵。

第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此在短波發光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領域擁有廣闊應用前景。

第三代半導體具體的應用場景不勝枚舉，其中在節能電力電子領域，有半導體照明、智能電網、高速列車等；在信息工程領域，有可見光通訊、海量光存儲、高速計算等；在國防建設領域，有紫外探測器、微波器件等；在民用商業應用領域，有無線基礎設施（基站）、衛星通信、有線電視和功率電子等；此外還包括新能源汽車、消費類電子等領域。
　　正是憑借著性能的優勢和廣闊的應用場景，第三代半導體也被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產業的“新發動機”。

鑫芯半導體A輪融資超10億元，聚焦12英寸半導體硅片研發

據媒體報道，1月5日半導體硅片研發制造企業鑫芯半導體科技有限公司日前完成超10億元A輪融資。

輪融資由沂景資本、信達風投資、瑞芯資本、石溪資本、上海寶鼎、湖南華菱、寧波中超、航芯創投等機構共同投資，所融資金將主要用于產品研發、購置設備、產能擴充。

硅片作為直接材料貫穿芯片生產的每一道制程，全球12英寸大硅片供應長期被日韓等外資廠商壟斷，國產化亟待突破。

在國外企業實際應用第三代半導體技術時，國內還有亟待突破的短板，硅片就是其中之一。資本投向被卡脖子技術領域，是好事。

鴻海2021年營收再創新高

根據鴻海1月5號公布的財報，鴻海2021年全年營收5．94萬億元新臺幣（約2149億美元），相較2020年增長10．86％，創下鴻海歷史營收新高。

另外，鴻海去年第四季度營收達1．83萬億元，季增30．60％，年減8．69％，創歷年次高記錄；12月營收達6607億元，月增6．27％，年減7．44％。

同時，創下企業史新高的不止是鴻海，據Refinitiv的14位分析師預計三星電子即將發布的2021年Q4財報也將創下歷史新高。

三星電子營業利潤有望達到15．2萬億韓圓（約合808．5億元人民幣）。這將較上年同期的9．05萬億韓圓增長68％，略高于2017年第四季度創紀錄的15．15萬億韓圓。

三星電子的股價在過去兩個月里已經上漲了約12％，因為市場對三星電子的良好業績表現已經有所預期，并且由于市場對視頻、游戲、會議和其他流媒體服務的需求持續強勁，存儲芯片的價格今年有望繼續上漲。