基于信号与电源完整性的有效分析优化2.5D-3D的设计
2021年电子技术应用第8期
何永松1，秦祖立2，林 麟1，吴 凯1
1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海铿腾电子科技有限公司，上海200000
摘要： HBM(高带宽内存)存储系统与传统的DRAM接口相比，具有高速率和低功耗特性。在2.5D/3D的设计中，随着HBM速率的提高，对信号与电源完整性的设计的考量越来越重要，如何通过有效的仿真指导产品的设计是一个挑战。首先从信号完整性的角度讨论了设计的考量点，其次从电源完整性的角度讨论电源噪声在高速传输信号中的影响，并提出了如何仿真与预测大量同步开关噪声等电源噪声对眼图的影响，最后基于芯片的测试结果对比仿真，给出结论。
中圖分類號： TN402
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219806
中文引用格式： 何永松，秦祖立，林麟，等. 基于信號與電源完整性的有效分析優化2.5D-3D的設計[J].電子技術應用，2021，47(8)：64-67，71.
英文引用格式： He Yongsong，Qin Zuli，Lin Lin，et al. Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：64-67，71.
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.219806
中文引用格式： 何永松，秦祖立，林麟，等. 基于信號與電源完整性的有效分析優化2.5D-3D的設計[J].電子技術應用，2021，47(8)：64-67，71.
英文引用格式： He Yongsong，Qin Zuli，Lin Lin，et al. Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：64-67，71.
Optimizing 2.5D/3D IC design with efficient power and signal integrity analysis
He Yongsong1，Qin Zuli2，Lin Lin1，Wu Kai1
1.Shanghai Enflame Technology，Shanghai 200000，China；2.Cadence Shanghai，Shanghai 200000，China
Abstract： Compared with the traditional DRAM interface, the HBM(High Bandwidth Memory) storage system has the characteristics of high speed and low power consumption. In the design of 2.5D/3D, as the rate of HBM increases, the design considerations of signal and power integrity are becoming more and more important. How to guide the design of products through effective simulation is a challenge. The article firstly discusses design considerations from the perspective of signal integrity, then discusses the impact of power supply noise on high-speed transmission signals from the perspective of power integrity and proposes how to simulate and predict the effects of Simultaneous Switch noises. Finally based on the silicon chip, simulations have well correlated and verified by test results.
Key words : 2.5D/3D design；signal integrity；power integrity；SSN；voltage noise prediction
0 引言
高帶寬內存(High Bandwidth Memory，HBM)存儲系統已成為某些超級計算機中用于高性能圖形加速、網絡設備以及高性能數據中心的最廣泛使用的存儲器件。與傳統的存儲器接口相比，HBM可實現更高的帶寬，同時消耗更少的功耗。HBM廣泛應用于高級封裝中，結合中介層基板芯片(Interposer)，實現存儲器的數據讀寫。而Interposer的設計隨著HBM的速率上升，信號完整性(SI)和電源完整性(PI)帶來的挑戰越來越大。Interposer的設計人員在初始設計時，為了克服SI和PI的挑戰，需要有效的仿真方法學指導設計。本文從SI和PI角度討論如何設計仿真，并通過實測芯片驗證仿真方法學的可靠性。
本文詳細內容請下載：http://www.tom3567.com/resource/share/2000003702。
作者信息：
何永松1，秦祖立2，林 麟1，吳 凱1
(1.上海燧原科技有限公司，上海200000；2.上海鏗騰電子科技有限公司，上海200000)
此內容為AET網站原創，未經授權禁止轉載。