眾所周知,在芯片領(lǐng)域有一個(gè)定律非常出名,那就是摩爾定律。它是由英特爾的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出來的。

其主要內(nèi)容就是,芯片上的晶體管密度每18個(gè)月就會(huì)翻一番,隨之而來的便是芯片性能的翻倍。

不得不說,過去的幾十年,特別是在芯片工藝還在10nm及以上時(shí),摩爾定律基本上是成立的,芯片廠商們工藝進(jìn)展也基本上是按這個(gè)規(guī)律在前進(jìn)。

但當(dāng)工藝進(jìn)入到14nm后,摩爾定律有點(diǎn)失效了,18個(gè)月的時(shí)間,芯片的晶體管翻不了倍了,至于為什么,因?yàn)楫?dāng)工藝達(dá)到14nm后,工藝已經(jīng)逼近了原子級(jí)的水平,縮小晶體管的溝道長(zhǎng)度越來越難了。

于是也就有了三星、臺(tái)積電的工藝摻水一說,像臺(tái)積電、三星這幾年的工藝進(jìn)步,什么XXnm工藝,可是與晶體管密度沒有太直接的關(guān)系了。

也正因?yàn)槿绱?近日ARM的技術(shù)總監(jiān)Rob Aitken,提出了一個(gè)新概念,稱應(yīng)該用庫(kù)米定律來取代摩爾定律,以保證芯片產(chǎn)業(yè)的規(guī)律是可持續(xù)的。

庫(kù)米定律是什么?庫(kù)米定律描述的是每焦耳的計(jì)算次數(shù)這一指標(biāo)每18個(gè)月翻一倍,更直白的來講,就是將每瓦性能作為芯片設(shè)計(jì)的指標(biāo),這讓能夠讓工程師以更少的功耗達(dá)到指定的性能指數(shù)。

說真的,ARM之所以這么提,是因?yàn)锳RM架構(gòu)的芯片,相比于X86而言,本身就是低功耗的,如果將庫(kù)米定律作為指標(biāo),對(duì)ARM而言是有利的。

但從另外一方面來講,庫(kù)米指標(biāo)也是有其合理性的,畢竟現(xiàn)在的芯片除了追求性能,也追求功耗,在工藝無法進(jìn)一步無極限的縮小之時(shí),用功耗性能指標(biāo)來計(jì)算,也有其道理。