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光刻技术重磅进展!

2021-06-12
來源:ZYNQ

中科院網站消息中國科學院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室提出一種基于虛擬邊(Virtual Edge)與雙采樣率像素化掩模圖形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction,OPC),仿真結果表明該技術具有較高的修正效率。

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OPC技術通過調整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應,從而提高成像質量。基于模型的OPC技術是實現90nm及以下技術節點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。

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