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南大光电高端ArF光刻胶获得突破!未来可用于7nm工艺

2021-06-02
來源:21IC中国电子网

  在半導體制造方面,國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備,光刻膠也是重要的一環。而南大光電研發的高端ArF光刻機,已經獲得了國內某企業的認證,可用于55nm工藝制造。

  5月31日晚間,南大光電發布公告稱,控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證后,近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破,表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

  不過,南大光電并未透露具體的客戶名字。

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  (圖片源自南大光電官網)

  在光刻機市場上,國內自給率極低,歐美日等地區的廠商占據主要份額,JSR、信越化學等TOP5廠商占據全球87%的份額。

  要知道,光刻膠有不同的技術類別,低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%,KrF光刻膠自給率不足5%,而高端的ArF光刻膠完全依賴進口,是國內半導體的卡脖子技術之一。

  雖然南大光電的ArF光刻膠現在通過的是55nm工藝認證,但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣,可用于90nm-14nm甚至7nm 技術節點制造工藝,廣泛應用于高端芯片制造(如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等)。




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