2021年4月27日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩定性和效率。級聯配置無需復雜的驅動電路，加快了產品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。

Nexperia GaN戰略市場總監Dilder Chowdhury解釋說：“鈦金級是80 PLUS?規格中最嚴苛的，滿載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。對于2 kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統硅器件來實現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本。”

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現已大量供貨。

欲了解更多信息，包括產品數據手冊和快速學習視頻，請訪問https://www.nexperia.com/products/gan-fets.html。

設計人員可以在5月3日至7日舉行的PCIM Digital Days期間訪問Nexperia的展區，了解Nexperia GaN FET的實際應用。https://pcim.mesago.com

關于Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體器件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

Nexperia：效率致勝。