根據IC Insights發布的《 2020-2024年全球晶圓產能》報告，從2024年開始，領先（<10nm）工藝的IC產能預計將增長，并將成為整個行業每月安裝容量的最大來源。

　　報道指出，到2020年底，10nm以下工藝的產能預計將占IC工業晶圓總產能的10％，然后預計2022年將首次超過20％，并在2024年增加至全球產能的30％ （圖1）。

　　IC Insight表示，推進工藝尺寸的微縮變得越來越困難，如何測量這些小工藝，也給行業人士帶來困擾。因此，關于新工藝技術的晶圓廠產能的任何假設都可能以最小的特征尺寸對晶圓產能的預測產生重大影響。

　　報告進一步指出，不斷縮小晶體管的幾何尺寸動機是巨大的，因為這樣做有很多好處：更高的速度，更低的功耗，更低的單位面積成本等，但是有時會出現收益遞減的問題，這就讓芯片設計人員不得不懷疑高成本是否值得。而微縮帶來的成本優勢也已經不再是以前的比例。

　　此外，10nm以下制程技術相關的設備成本已經飆升至許多IC供應商無法承受的地步。因此，目前只有三星，臺積電和英特爾建造小于10納米工藝技術的晶圓廠。

　　同時，設計難題（例如，繼續縮小DRAM和NAND閃存單元的體積）阻礙了IC行業使用多年的縮放方法。復雜的基于邏輯的芯片（例如微處理器，ASIC，FPGA和其他高級邏輯設備）也面臨挑戰。

　　IC Insights認為，隨著復雜的基于邏輯的芯片的細微特征尺寸的遷移速度繼續放緩，芯片設計人員也發現越來越難以證明較高的成本是合理的。因此那些能從高速，低功耗受益匪淺的應用將對先進的finFET工藝及更高工藝提出健康的需求。半代節點或現有過程的增強版本的推出也有助于在每個新一代節點之間傳遞更多的時間。

　　從IC Insights的2020-2024年全球晶圓產能報告，我們還有其他發現，包括：

　　1、2020年，預計所有晶圓容量的48％將用于最小幾何尺寸（或等效的最小幾何尺寸）小于20nm的設備（而小于10nm的占比10.0％；介乎10-20nm之間的是38.4％）。此類設備包括具有等效10nm級技術的高密度DRAM和高密度3D NAND閃存，高性能微處理器，低功耗應用處理器以及基于16 / 14nm，12 / 10nm的高級ASIC / ASSP / FPGA器件，或7 / 5nm技術。

　　2、在低于20nm的工藝中，韓國擁有66％的產能，與其他地區或國家相比，韓國的領先優勢仍然明顯得多。鑒于三星和SK Hynix對高密度DRAM，閃存和三星應用處理器的重視，該國擁有最先進的專用晶圓產能就不足為奇了。

　　3、因為蘋果公司，華為公司和高通公司持續使用臺積電的先進工藝服務。這就使得中國臺灣小于20nm工藝的總產能超過35％。盡管如此，28nm，45 / 40nm和65nm世代繼續為臺積電和聯電等代工廠創造大量業務。

　　4、中國大陸大多數小于20nm的產能由外國公司擁有和控制，這些外國公司包括三星，SK海力士，英特爾和臺積電。YMTC和中芯國際是僅有的提供小于20nm制程技術的中國公司。