美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商 Lam Research 開發(fā)出通過化學(xué)反應(yīng)制作極紫外光刻膠（EUV PR）薄膜的技術(shù)。通過該技術(shù)比在晶圓上涂液體光刻膠，能實(shí)現(xiàn)更高的分辨率并節(jié)減費(fèi)用。目前在液體 EUV PR 和涂布市場主要被日本廠商壟斷。預(yù)計(jì)三星電子等受日本出口限制 EUV PR 供應(yīng)受影響的韓國半導(dǎo)體廠商對(duì)該技術(shù)將會(huì)比較關(guān)注。

　　根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，Lam Research 在 26 日由國際光工學(xué)會(huì)（SPIE）在美國圣何塞舉行的尖端曝光工程學(xué)會(huì)上介紹了“Dry resist”技術(shù)。該技術(shù)由 Lam Research 與荷蘭曝光設(shè)備廠商 ASML，比利時(shí)半導(dǎo)體研究中心 IMEC 共同開發(fā)而出。

　　Dry resist 用于作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的曝光工程之前。通過光反復(fù)刻錄半導(dǎo)體電路的曝光工程進(jìn)行之前，半導(dǎo)體廠商會(huì)在晶圓上涂抹與光反應(yīng)的液體光刻膠。目前通過旋轉(zhuǎn)涂布的方式進(jìn)行光刻膠涂布。旋轉(zhuǎn)晶圓的同時(shí)，利用將液體光刻膠滴幾滴到晶圓上可以形成均勻厚度的 Track 設(shè)備。該設(shè)備主要由日本 TEL 生產(chǎn)。