美國數據設備公司（DDC）推出首個用于太空領域的CCGA封裝的抗輻射DDR2 SDRAM，此款產品是對DDC高密度空間級陶瓷密封存儲器的最新補充，其中包括閃存NAND/NOR、SDRAM、SRAM和EEPROM解決方案。新款DDR2(97D2H)在一個緊湊的CCGA封裝中提供高達8GB的SDRAM，為長期使用和易于設計提供了一個高度可靠和靈活的內存解決方案。密封陶瓷封裝的輻射容錯劑量TID(>100 krad orbit/mission dependent)，以及在單粒子效應中(無閂鎖效應[1])提供了出色的輻射耐受能力，而通用封裝提供多種密度和數據寬度選項，以簡化電路板設計、系統集成和錯誤糾正。

　　特點:

　　·高性能

　　提供更高速度的SDRAM (400mhz)，以增加內存吞吐量和最大限度地提高應用程序效率

　　·高可靠性

　　密封陶瓷CCGA封裝，使用時間長、易于設計；

　　出色的輻射耐受容錯量(>100 krad** dependent on mission)和單粒子效應（無閂鎖效應）；

　　完整的模具批次可追溯性和模具批次TID測試可確保每個零件的一致，可靠的性能；從“工程類”到“飛行類”的篩選流程提供了多種選擇，使用戶的預算任務需求上得到相應的匹配；

　　靈活性的設計/易用性

　　適用于多種密度和數據寬度的通用緊湊型封裝，簡化了電路板設計和系統集成；

　　在單獨的CCGA封裝中最多可達8GB，占用空間小(1.1英寸x 0.717英寸)和325 in)；

　　寬數據總線選項(x8, x16, x32, x48, x64, x80)，用于簡單的連接到抗輻射的 FPGA, ASIC和處理器，支持實現各種糾錯方案；

　　“DDC的密封陶瓷DDR2代表了下一代空間級SDRAM，提供了最高輻射容錯(>100 krad)，同時具有廣泛的數據總線選項。”——DDC業務經理Dan Veenstra介紹。

　　[1] Latch up 是指cmos晶片中, 在電源power VDD和地線GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路, 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流；隨著IC制造工藝的發展, 封裝密度和集成度越來越高,產生Latch up的可能性會越來越大；Latch up 最易產生在易受外部干擾的I/O電路處, 也偶爾發生在內部電路；Latch up 產生的過度電流量可能會使芯片產生永久性的破壞, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一。