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电动汽车充电站
高压超结MOSFET技术
憑借600 V CoolMOS? CFD7，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS? CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用。
該600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或競爭性產品高出1.45%之多。它不僅擁有快速開關技術的所有優勢，還兼具高換相穩固性，同時不影響在設計過程中的輕松部署。該600 V CoolMOS CFD7擁有更低的柵極電荷(Qg)和更好的關斷性能。此外，其反向恢復電荷(Qrr)比市場上的競爭性產品低69%之多。該600 V CoolMOS CFD7可為THD和SMD器件提供業內領先的解決方案，從而能夠支持高功率密度解決方案。
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