為了降低SiC的制造成本，美國北卡羅萊納州立大學的研究人員設計了一種PRESiCE制程，并搭配TI X-Fab實現低成本的SiC功率MOSFET…

碳化矽(SiC)，這種寬能隙的半導體元件可用于打造更優質的電晶體，取代當今的矽功率電晶體，并與二極體共同搭配，提供最低溫度、最高頻率的功率元件。SiC電晶體所產生的熱也比矽功率電晶體更低30%，然而，它的成本至今仍然比矽更高5倍。

美國北卡羅萊納州立大學(North Carolina State University；NCSU)教授Jay Baliga認為，這是因為SiC需要專用的制程技術，而使得價格居高不下，并筑起較高的進入門檻。為了尋找低成本授權的制程以降低這些障礙，Baliga及其研究團隊設計了一種“制造SiC電子元件之工程制程”(Process Engineered for Manufacturing SiC Electronic-devices；PRESiCE)，并采用德州儀器(Texas Instruments；TI)的X-Fab來實現。

研究人員們將在日前于美國華府舉行的2017年碳化矽及相關材料國際會議(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials；ICSCRM 2017)發表技術細節。

根據Baliga，PRESTICE并不只是一種開發SiC制程的低成本替代方法，它也比傳統的專有制程更有效率。降低授權成本將有助于讓更多的業者加入市場競爭，從而提高SiC的產量。反過來說，這也不可避免地會降低SiC的價格，或許還會降低到只比矽的價格多50%。

SiC功率元件除了可作業于較低的溫度下，也可以在更高的頻率下切換，從而讓功率電子產品得以使用較小的電容、電感和其他被動元件，最終使得設計人員能在更小的空間中封裝更多元件，而仍使其保持輕量纖薄。Baliga說，PRESiCE制程能實現較高產量，并嚴格控制產出SiC元件的特性。

為了證明這一概念，研究人員在TI X-Fab中使用PRESiCE，制造出SiC功率MOSFET、ACCUFET與接面阻障蕭特基(JBS)整流器，以打造1.2kV的電源。功率MOSFET結構的JBS返馳式整流器可打造功率JBSFET，使其得以較矽基設計的晶片面積更縮小40%，封裝數也減半。

美國能源部(DoE)旗下PowerAmerica研究所為這項研究提供資金。除了Jay Baliga他研究人員還包括北卡羅萊納州立大學的K. Han、J. Harmon、A. Tucker與S. Syed，以及紐約州立大學理工學院(SUNY)的W. Sung。