西部數據（WD）于今日（7 日）宣布其已開始生產業內最密集的 3D NAND 閃存芯片，堆疊達到了 64 層。當然，每單元存數比特位數也從 2 增加到了 3（說白了就是從 MLC 變成了 TLC）。

西數及其合作伙伴東芝將其“垂直 3D 堆疊技術”稱作Bit Cost Scaling（簡稱 BiCS），而西數方面也已開產首批 64 層 512 Gb 的 3D NAND 芯片。

（圖片來源：東芝）

其生產過程與摩天大樓的建造類似，能夠在較小的地面上組合出密集的結構，使得每 Gb 的成本效益更加明顯。此外，這項技術還增加了數據可靠性、以及固態存儲速度。

3D NAND 讓制造商們可以克服 NAND 閃存的物理限制，因為隨著晶體管尺寸接近 10nm，其進一步收縮的能力將迅速消散。

▲ 西數 BiCS 3D NAND 閃存結構圖（64 層堆疊）

最新 3D NAND 閃存已經用到了一片外形如同口香糖般大小、但容量高達 3．3 TB 的固態硬盤（SSD）驅動器上。如果采用 2．5 英寸的外形，其容量更可輕松超過 10 TB 。

除了三星和東芝，英特爾和鎂光也在生產 3D NAND 產品。

三星是首家宣布量產 3D 閃存芯片的企業（2014 年），其技術被命名為 V－NAND，起初只堆疊了 32 層，但也將存儲位元從 MLC 改進到了 TLC。所以其 TLC 產品的容量（128 Gbits ／ 16 GB）比東芝初代 48 層 NAND 芯片還要高）。

西數于 2016 年 7 月首次向公眾展示了其 64 層 3D NAND 技術，新芯片已于日本四日市制造工廠開始試產，該公司計劃在 2017 年 下半年開始量產。