電力電子裝臵CPU，布局IGBT符合國家戰略需求。IGBT是由BJT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。具有驅動功率小、輸入阻抗大、控制電路簡單、通斷速度快、工作頻率高和開關損耗小等優點，被廣泛應用在電動汽車、新能源裝備、智能電網、軌道交通和航空航天等領域。IGBT是能源變換和傳輸的最核心器件，俗稱電力電子裝臵的CPU，是目前最先進應用最廣泛的第三代功率半導體器件。作為國家戰略性新興產業，IGBT在設計國家經濟安全、國防安全等領域占據重要地位。

IGBT結構示意圖及等效電路圖

IGBT技術演進圖

進口替代國是我國IGBT發展趨勢。我國IGBT器件90%依賴進口，國產市場份額主要被歐美、日本企業壟斷。中國IGBT企業在研發與制造工藝方面極度缺乏經驗，與世界先進水平差距很大。同時IGBT都是關鍵設備上的核心部件，設備廠商更換國產產品風險很大，這也是制約國內企業產品進入高端市場的障礙。近年在政策支持和市場推動下，IGBT產業得到迅速發展，“十一五”和“十二五”期間，國家也組織實施了眾多的IGBT研發和產業化項目，和28nm/16nm集成電路制造一樣，IGBT也被列為國家“02專項”的重點扶持項目。目前國產化進程正在提速階段，國內擺脫進口依賴的期望持續增強。

2014年國內IGBT市場份額

我國IGBT市場規模不斷上升

新能源是汽車和充電樁是IGBT未來最大的增量市場。受益于新能源電動汽車、智能電網、軌道交通的快速發展，未來IGBT市場將迎來爆發。從成本上看，IGBT模塊占新能源汽車控制器成本約50%，占電動汽車成本約10%，占充電樁成本約20%，預計未來5年新能源電動汽車和充電樁將帶動IGBT模塊快速增長。2014國內IGBT市場規模92.2億元，占全球市場1/3左右，預計“十三五”期間復合增長率15%，到2020年國內市場規模將近186億元。