中國臺灣地區存儲器封測廠力成受惠于韓國廠商以外四大廠（東芝、西數、美光、英特爾）的3D NAND封測訂單，法人看好明年營收有機會逐季創高，全年營收及獲利亦將改寫歷史新高。

NAND Flash制程持續往1y／1z納米進行微縮，但因芯片線寬線距已達物理極限，技術推進上已出現發展瓶頸，用1y／1z納米生產的2D NAND并未出現成本效益，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產能出現排擠，NAND Flash產出量明顯減少，導致下半年價格強勁上漲。

為了擴大產能因應市場強勁需求，全球六大NAND Flash廠今、明兩年的投資計劃，全數集中在3D NAND的制程推進及擴產上。但考量到興建一座新的3D NAND廠所費不眥，六大廠都調撥現在2D NAND產能移轉生產3D NAND。以目前的進度來看，三星的大陸西安廠及韓國Fab 16已開始量產，其它業者則仍在進行產能調配，但量產計劃將自明年第一季陸續展開。

三星除了現在的西安廠及Fab 16廠外，Fab 17及Fab 18將在明年上半年開始量產3D NAND。東芝及合作伙伴西數（WD）除了Fab 5開始提高3D NAND投片外，Fab 2將在明年第一季轉進生產64層3D NAND，Fab 6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產。

SK海力士M12廠已量產3D NAND，M14廠預計明年上半年導入量產，且將用來生產72層3D NAND芯片。美光及英特爾的部份，除了合作的IM Flash已開始量產3D NAND，美光F10廠將在明年第一季量產64層3D NAND，英特爾大連廠則已量產3D NAND，并將在明年開始量產新一代XPoint存儲器。

對力成來說，3D NAND封測認證在第三季已經完成，第四季開始量產出貨，包括東芝、西數、美光、英特爾等韓國業者以外的四大廠，都將3D NAND封測交由力成代工。由于3D NAND封裝難度高，且需要較長的測試時間，對力成來說十分有利。