開發出了高品質單晶硅的低成本制造技術。基本不需要進行新投資即可生產品質高于以往的單晶硅，實現以低成本生產高效率太陽能電池。

　　在單晶硅制造方法中，人們比較熟悉的是“CZ法”，利用石英玻璃制成的圓形坩堝將原料硅熔化，通過向上提拉硅熔體，使其變成晶體。但硅熔體的溫度約為1400度，坩堝中會發生熱對流，導致石英坩堝壁熔解，因此生產出來的硅晶體中含有氧及重金屬等雜質。

　　在高品質單晶硅制造方法中，最為有名的是“MCZ法”，這種方法著眼于硅熔體為液體金屬這一點，從坩堝外部施加磁場來抑制對流。但是，MCZ法需要使用超導磁鐵設備，不適合用于亟需降低成本的太陽能電池用途。

　　此次開發的“LCZ法”使用對內壁表層（潑液層，Liquinert層）進行特殊處理使其排斥熔體的坩堝。不使用磁場，采用普通的CZ法即可抑制坩堝的熔化，因此能以更低的成本制造高品質單晶硅。此次采用LCZ法成功制造出了實用尺寸的200mm直徑單晶硅。

　　單晶硅的品質可通過使用期（LifeTime）這一物理量來進行定量性的測量。此次的使用期測量結果顯示，用LCZ法生產的單晶硅擁有與MCZ晶體同等或者更高的品質。而且，還利用LCZ硅制作硅基板，并試制出了標準型太陽能電池，結果發現與使用傳統結晶硅（用CZ法生產的單晶硅）的太陽能電池相比，轉換效率最多可提高1.03倍。

　　今后將根據需求擴充擴潑液坩堝制造設備，以降低坩堝成本。而且，還將致力于制造技術的開發，改進潑液坩堝及晶體生長技術，以滿足更高品質結晶硅的量產化需求，為2020年達到14日元/kWh的發電成本目標作出貢獻。