紫外（UV）LED是指發射的峰值波長在400nm以下的發光二極管，通常可以分為兩類：波長在300~400nm的稱為近紫外（NUV）LED；200~300nm的稱為深紫外（DUV）LED。UV-LED在眾多領域都具有廣闊的應用前景，包括UV放電燈的替代光源、熒光光源、顯微鏡或曝光機的高分辨率光源，以及用于固化、醫藥、生物研究等的光化學反應光源、用于殺菌消毒的紫外光源等。

　　普通的藍光LED基本采用GaN作為發光材料，但是由于GaN的帶隙為3.4eV，芯片內部產生的波長小于370nm的輻射會被GaN吸收。因此，UV-LED大都采用AlGaN作為發光材料。但是AlGaNLED需要1層帶隙更大的包覆層，造成了更高的穿透位錯密度（ThreadingDislocationDensity，TDD），從而導致發光效率降低。隨著輻射峰值波長的減小，LED芯片的外量子效率（EQE）逐漸降低。

　　目前NUV-LED的制備技術發展迅速，芯片性能得到了極大的提升。365nm芯片的EQE達到了30%，385nm芯片可達50%，而405nm芯片效率高達60%。常規的NUV-LED芯片單顆輸出功率達到了瓦級，可用于樹脂固化、曝光機、驗鈔機等。目前NUV-LED芯片研制以大功率產品為方向，365nmLED的單顆輸出功率可達到12W；而這些大功率LED的價格隨著批量生產而大幅下降，因此真正可以實用化。

　　DUV-LED芯片受制于技術難點，目前效率仍然比較低，僅不到2%，且價格昂貴，只能局限于實驗室應用或小功率的效果驗證。改進DUV-LED制備工藝、提高芯片效率，是目前相關研究機構和企業的重要研究方向。

　　日本RIKEN的Hirayama等人采用NH3脈沖氣流多層生長方法，成功地在藍寶石襯底上橫向外延生長（EpitaxialLateralOvergrowth，ELO）AlN基板，大幅度降低了位錯密度，并在此基礎上制備了222~282nm的DUV-LED。通過氨脈沖氣流多層生長方法，先在藍寶石上生長初始的AlN條紋層；然后采用低氣壓有機金屬化學氣相沉積（LPMOCVD）方法，生成寬度為5μm、間距為3μm、厚度約15μm的ELO-AlN條紋結構基板。

　　投射電鏡圖像顯示，ELO-AlN層邊緣穿透位錯密度為3×108cm-2。270nm的AlGaN多量子阱（MQW）DUV-LED芯片結構如圖所示，其峰值波長為273nm，室溫下連續波工作，最大輸出功率可以達到2.7mW。而在室溫下連續波工作時，波長241nm和256nm的AlGaN量子阱LED的最大輸出功率分別為1.1mW和4.0mW；在室溫下脈沖狀態工作時，227nm和222nmAlGaN量子阱LED的最大輸出功率分別為0.15mW和0.014mW；227nm和250nmAlGaNLED的最大EQE分別為0.2%和0.43%。