美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術不僅將導入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應商，2016年搶先導入SSD。不過，相關消息仍待慧榮正式對外宣布。

　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新式NVM，采用新材料提升NAND Flash速度及密度，并降低延遲，相對于磁電阻式隨機存取存儲器(MRAM)、變相式存儲器(PCM)等新式存儲器， 目前ReRAM技術較容易商用化，投入研發(fā)的半導體廠亦相當多。

　　盡管ReRAM商用化時程越來越近，但IM Flash陣營3D XPoint技術將在2016年導入終端產(chǎn)品量產(chǎn)，并應用在SSD領域，卻令業(yè)者十分意外。存儲器業(yè)者認為，3D XPoint技術應會先用于特殊型SSD應用領域，短期內還不會取代既有DRAM和NAND Flash芯片，且若是采用新材料，包括芯片穩(wěn)定度、可靠度及良率等都需要再觀察。

　　值得注意的是，業(yè)界傳出臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮已加入3D XPoint計劃，將研發(fā)支援3D XPoint的控制芯片，瞄準特殊型SSD應用，以及需要高速讀寫的大型資料庫儲存、伺服器快取(caching)等應用。

　　存儲器業(yè)者指出，近期慧榮與IM Flash陣營在NAND Flash技術研發(fā)已有重大突破，不僅與美光合作SATA III介面SSD控制芯片，更傳出與英特爾合作PCI Express(PCIe)介面SSD控制芯片，預計2016年問世，正好趕上PCIe介面SSD躍上主流產(chǎn)品列車。

　　事實上，用來取代DRAM和NAND Flash芯片的新式存儲器技術，包括架構及材料一直是各廠高度機密。目前DRAM技術發(fā)展到20納米制程，三星率先進入量產(chǎn)，SK海力士及美光旗下華亞科2015年下半才會放量，業(yè)者原本認為20納米是DRAM技術極限，但各廠都在研發(fā)1x納米DRAM技術，由于制程技術更困難，投入金額更龐大，讓業(yè)者感受到DRAM技術已瀕臨極限。

　　至于NAND Flash技術則已轉進3D架構，東芝和新帝陣營宣布3D NAND技術進入48層堆疊，取代原本僅16層和32層堆疊的3D NAND技術，可儲存更多資料，預計2016年上半送樣給客戶;至于三星電子亦預計2016年推出48層堆疊3D NAND技術。目前看來IM Flash陣營在新式存儲器發(fā)展稍微領先，3D NAND技術陣營恐將被迫加速開發(fā)時程。