SK海力士營業利潤連續6個季度突破1兆韓 元，這歸功于服務器和移動領域所帶來的堅挺需求。其中，在主力軍動態半導體存儲器(DRAM)的生產中，DDR4和LPDDR4的產量預計將比原計劃產量 有所增加，以應對需求的增長;儲存型快閃存儲器(Nand flash)也預計擴大10納米級三階儲存單元(TLC)產品的生產比重。

　　今年4月，發生員工事故的京畿道利川市的新工廠(M14)追加了2800億韓元投資用于加強安全等方面的建設，總投資額已達6兆韓元以上。 M14的施工已經延遲了2個月左右，晶圓生產量也減少了7000萬-8000萬件。預計進軍中國的存儲器項目，將以技術開發和原價競爭力的戰略來獲得市場 占有率。

　　據SK海力士23日公布的數據，今年海力士第二季度銷售額為4兆6390億韓元，營業利潤達到1兆3750億韓元，銷售額和利潤比去年同期分別 上升了18%和27%;與上季度相比，銷售額下降4%，營業利潤下降13%，有分析稱這是由PC需求放緩導致。第二季度營業利潤率為30%，扣除法人稅等 費用后純利潤達到1兆1080億韓元。DRAM和Nandflash的發貨量比上季度分別增長了4%和8%，平均售價分別下降了8%和6%。

　　預計SK海力士下半年移動端DRAM比重將增至40%，PC端DRAM比重則會跌至20%左右;在海力士主力產品DRAM生產中，DDR4和 LPDDR4需求在增加，所以這兩項的生產會比先前的計劃有所增加，而DDR3的生產將會下降。這是因為有推斷表示，今后以大容量、高性能的DDR4為基 礎的服務器和移動領域需求量將會大幅增加。

　　隨著主要的智能手機企業移動端新產品的上市和固態硬盤(SSD)市場的擴大，Nandflash預計將會得到持續的發展。對此，SK海力士擴大了從第二季度開始出廠的10納米級TLC產品生產比重。

　　海力士計劃第三季度之內完成3D2代(36段)產品的開發，并開始準備小規模的生產;并且，計劃在年內完成以TLC為基礎的3代(48段)產品的開發，并和SSD一同應用于solution的全部產品當中，以此來應對從明年開始的日益增長的3D需求。

　　SK海力士的金社長稱：“從2季度開始生產的16納米級TLC的Nandflash到今年年底比重將增至40%”，“我們將不斷改善Nand的原價競爭力和收益性。”

　　SK海力士今年上半年投資了3兆7000億韓元，由于基礎設施投資的增加，今年的投資規模有望達到6兆韓元以上。海力士在今年4月發生員工事故的京畿道利川新工廠(M14)增加了2800億元的投資，用于安全強化。

　　原定于今年上半年完工的M14工期已經推遲了2個月左右，預計今年12月前后晶圓產量達到1.3萬件的計劃可能將減少7000萬-8000萬件，減至5000萬件左右。M14產線完工之前，將繼續沿用現有的M10生產線至明年。

　　海力士方面表示，最近在收購本公司股票方面，公司將不會注銷所收購的本公司股票，并且今后在必要時也計劃研究收購本公司股票事宜。

　　SK海力士有意進軍中國半導體存儲器市場，公司依舊拿出了以技術優勢來占領市場的戰略。SK海力士方面表示：“我們承認今后肯定要進軍中國市場”，“但有關何時拿出一個怎樣的技術來，還是一個未知數。”

　　海力士方面還補充道：“為了應對這一問題，我們把技術開發放在首位”，“技術提高到何種程度，以及是否確保原價競爭力，決定了我們是否能夠持續保持良好的市場占有率”。最近業界內有關京東方(BOE)投資DRAM、紫光收購美國美光科技等中國準備進軍存儲器市場的消息也在不斷流出。