TE Connectivity的SESD器件帮助设计人员应对复杂的 ESD和浪涌保护挑战
2014-03-18
設計工程師充分了解在應付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴重損壞時，提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)保護功能可能并不足夠。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性，可能損壞智能手機、平板電腦、汽車信息娛樂設備和其它敏感的電子產品的I/O端口。認識到這一事實，TE Connectivity旗下的電路保護業務部門推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空氣放電額定值為±20kV 和±22kV，遠遠高于IEC 8kV 接觸放電和15kV空氣放電標準要求，可以幫助設計人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護難題。
此新一代SESD產品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌保護能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩健的性能。
SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓(<15V)有助于達到快速啟動時間和最大限度地減少能量通泄(energy let-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節約能源的應用中降低功耗。
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型號：
單通道：
- SESD0201X1UN-0030-088 – 單向；0201尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp；8.8V (典型) VBR
- SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向；0201尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
- SESD0402X1UN-0030-088 – 單向；0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
- SESD0402X1BN-0015-096 –雙向；0402尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
多通道：
- SESD0402Q2UG-0030-088 –單向；0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
- SESD1004Q4UG-0030-088 –單向；1004尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
價格：按要求提供
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