《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR推出为通信电源应用提供基准性能的100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

2014-03-18

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFETIRFH7185TRPbF,為通信應(yīng)用中的DC-DC電源提供基準(zhǔn)性能。

IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工藝,提供基準(zhǔn)的導(dǎo)通電阻柵極電荷品質(zhì)因子(Rds(on)*Qg figure of merit),以實現(xiàn)更高效率和功率密度,并且提高系統(tǒng)可靠性。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRFH7185TRPbF提供超低導(dǎo)通電阻,并且比同類型器件的柵極電荷顯著降低,所以從輕載到滿載都能達到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩電流密度達20%,為DC-DC通信電源提供行業(yè)最堅固耐用的解決方案。”

IR FastIRFET器件可與各種控制器或驅(qū)動器配合使用,從而使設(shè)計更靈活,在更小的占位面積實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF達到工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)和第一級濕度敏感度(MSL1) 標(biāo)準(zhǔn),并采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝5x6 PQFN,所采用的材料環(huán)保,不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。

規(guī)格

 

封裝

器件編號

25°C時的最大Id

10Vgs時的

典型/ 最大導(dǎo)通電阻(Ω)

4.5V時的典型QG(nC)

10Vgs時的R*QG

PQFN 5×6

IRFH7185TRPBF

123A

4.2

36

151.2

 

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