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IDT 推出业界最低功率 DDR3 - 1866 内存缓冲芯片用于高性能 LRDIMM 应用

通过提升最高数据传输速率并使系统制造商获益于更高速度的内存容量, IDT 彰显其内存接口解决方案的领导者地位
2012-11-12
關(guān)鍵詞: 存储器 内存缓冲 DDR3

    擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率,并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲應(yīng)用的先進內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

    MB3518是一個低功率 DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,能在 1 個通道內(nèi)與 2 個 LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設(shè)一個 32GB 容量的 4 通道(quad-rank) LRDIMM,相當(dāng)于在一個典型服務(wù)器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量,那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過 1TB,預(yù)計將在 2013 年推出。這意味著相比于標準注冊的雙列直插內(nèi)存模塊 (RDIMMs),在最高速度等級的相對容量內(nèi)實現(xiàn)了四倍的提升,使計算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應(yīng)用性能。內(nèi)存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行,在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運營費用。

    IDT 公司副總裁兼企業(yè)計算部總經(jīng)理 Mario Montana表示:“作為內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商,IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能,在提升速度的同時堅持開發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運行成本并減少碳排放,IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統(tǒng)來看,IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇,幫助他們構(gòu)建市場上最先進的企業(yè)服務(wù)器和存儲設(shè)備。”

    美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場部副總裁 Robert Feurle 表示:“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的 LRDIMM 解決方案,來滿足我們的客戶在高性能計算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作,開發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品。”

    IDT 的內(nèi)存緩存芯片擁有獨有的調(diào)試和驗證特性,包括每個引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要,因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。IDT 內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會 (JEDEC) 設(shè)立的最嚴格的規(guī)范。

供貨

IDT MB3518MB3516 目前已向合格客戶提供樣品,有蓋和無蓋產(chǎn)品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。欲了解更多關(guān)于 IDT 領(lǐng)先的內(nèi)存接口產(chǎn)品信息,請訪問 www.idt.com/go/DDR3。

關(guān)于IDT 公司

IDT 公司擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù),并且運用這些模擬和數(shù)字優(yōu)勢技術(shù)為廣大終端用戶提供了大量優(yōu)化的、豐富的、創(chuàng)新性的系統(tǒng)級解決方案。IDT 在計時、串行交換電路和傳輸接口電路方面位于全球市場的領(lǐng)先地位。在通信、計算和消費芯片市場,IDT 發(fā)揮出模擬和系統(tǒng)設(shè)計的專長,為客戶提供了各種應(yīng)用廣泛、性能優(yōu)化的混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞,在全球各地設(shè)有設(shè)計中心、生產(chǎn)基地和銷售機構(gòu)。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市,代號為“IDTI”。欲了解更多IDT 詳情,敬請登陸http://www.idt.com/china/或訪問FacebookLinkedIn、TwitterYouTube。

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