盛美半導體設備（上海）有限公司今天宣布第一臺Ultra C™ 12英寸單片兆聲波清洗設備已經銷售給韓國存儲器制造巨頭。采用盛美的空間交變相移兆聲波技術（SAPS），Ultra C無需用高濃度的化學藥液，而是采用極低濃度的功能水即可實現優越的顆粒去除率（PRE），并且使材料的流失降到最低。該設備將用于客戶最先進器件的制造工藝上。
　
　　Ultra C定位于高端的清洗工藝。通過客戶端大生產線驗證，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上顆粒達到96%，在44nm至65nm顆粒之間PRE達到74%，單道清洗后的材料損失控制在0.2 Å之內，而競爭對手只能做到PRE在65nm及以上顆粒做到84%，44nm至65nm顆粒之間僅為13%，清洗效果顯著優于其它與之競爭的技術。在45nm技術節點，Ultra C的單道清洗將生產良率提高了1.3%。Ultra C是柵極刻蝕后清洗、光掩膜前清洗、離子注入后清洗、氧化前清洗、刻蝕后清洗、金屬布線前清洗等工藝的理想解決方案。
　
　　盛美的創始人及CEO，王暉先生說，“這臺訂單證明市場認可了我們的SAPS清洗技術，越小器件的技術節點對材料流失的工藝參數要求越高，并且影響最終良率的特征顆粒尺寸趨小，因而更難以清洗。我們的SAPS聲波清洗技術已被IC制造業巨頭接受，成為去除這些納米級顆粒的可行方案。在45nm及以下技術節點，Ultra C將成為取代現有清洗技術的突破性技術。”
　
　　該設備現已運出，最終驗收預計在近期完成。
　
關于空間交變相移技術（SAPS） 
　　盛美獨有的自主知識產權技術，“SAPS” 可以控制兆聲波能量在硅片面內以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。
　
　　兆聲波能量之所以可以去除顆粒是因為兆聲波會產生氣泡，這些氣泡能推動微顆粒離開硅片表面從而去除微顆粒。而關鍵點是在于如何控制兆聲波在硅片表面上的能量，必須要有足夠的能量產生氣泡，又不能產生過多能量而破壞硅片上的微結構。能有效產生氣泡而不產生破壞的能量區間很小，所以要達到高的微顆粒去除率而不造成微結構損壞必須具有很好的兆聲波能量均勻度控制能力。如果兆聲波能量在硅片上分布不均勻， 那么在硅片上高能量區產生的“熱點”將會引起氣泡內爆。 當氣泡內爆時產生的微射流很容易把硅片上的微結構破壞掉。
　
　　盛美的SAPS兆聲波技術可以精確控制兆聲波的能量，讓氣泡來回放大收縮而不會內爆。SAPS以非常均勻的能量分布（一個均方差小于?％）能夠確保有效的去除微顆粒而不會造成硅片微結構的破壞。